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課題
集積回路の急激な大規模化と複雑化、および微細化により、ナノメータのプロセス テクノロジの導入においては様々な重要課題が発生しています。ナノメータ ジオメトリではタイミング遅延、消費電力、シグナル インテグリティ、電源変動、およびエレクトロマイグレーションによる課題が発生します。
従来の不十分な検証技術では、設計者がデザインに含まれるトランジスタを複数の小規模なブロックに分割する必要が生じ、これによりシミュレーションと解析の精度が犠牲になってしまいます。相互に依存性を持つナノメータ効果の不正確なシミュレーションは破滅的なチップ故障、機能故障、あるいはシステム パフォーマンスの低下につながります。結果としてチップの製造を何度もやり直すこととなり、1 回の製造あたり 50 万ドル以上を費やすことも珍しくありません。また、スケジュールの延長、工数の追加発生、タイム トゥ マーケットの遅れ、およびそのチップを基にした最終製品の市場におけるポテンシャル低下にもつながります。
消費電力
消費電力の重要性はますます高まっています。ジオメトリのスケールが小さくなるに従い、電源電圧は低下し続けています。電圧の低下は、アクティブなデバイスをそれらのスイッチング スレッショルド付近で動作させることになり、結果としてそれらのデバイスが完全にオフとなることがなくなります。トランジスタが小さくなるとチャネル長も縮小し、スレッショルド電圧も低くなります。これによりリーク電流（サブスレッショルド リーク電流と呼ばれるソース-ドレイン間の電流）が増大します。また、ゲートからドレイン、およびソース/ドレイン-サブストレート間のリークも増大します。リーク電流の増大により累積されるリーク電力は、チップにおける総消費電力の 50% にも至ります。消費電力の効率的管理には、より正確なシミュレーションとすべての電力ソース（スイッチング、リーク、および隠れたもの）の管理が必要となります。
電源変動
一般的に IR ドロップと呼ばれる電源電圧変動は、電源グリッドからの電流（I）と配線抵抗（R）の関数です。電流の要求が予想より高かったり、配線抵抗が大きすぎると、電源電圧は要件を下回ってしまいます。この電圧降下は、ゲート遅延や信号遅延の拡大につながり、信号とクロックのスキューにおいてタイミングの不一致を発生させます。電源グリッドとグラウンド グリッドにおける IR ドロップはノイズ マージンにも影響を与える可能性があり、デザインのシグナル インテグリティに悪影響を与えます。
雑音
ナノメータ スケールでは、インターコネクトの高さがその幅を上回り、隣接して並行するインターコネクト間のカップリングがライン間のインターコネクトのカップリングを上回ります。インターコネクトを信号（電流）が流れると、隣接するネット（"victim" ネット）でスイッチングの相対速度（信号の立上がりおよび立下り時間）と相互キャパシタンスを原因とするグリッチやクロストークが発生する可能性があります。このグリッチの振幅がクリティカルなタイミングで発生すると、セルの遷移の加速や減速、あるいは受け側セルの論理スレッショルドを上回り期待外の遷移を発生してしまう可能性があります。このようなタイミング問題や機能故障を回避するには、これらのノイズ効果の正確なシミュレーションが重要です。
ニーズ
これらすべてのナノメータ効果を結び付ける興味深い特徴は、それらが電流ベースの問題であるということです。それらは、過渡的かつ相互依存するものでもあります。これらの問題がデザインに及ぼす悪影響を製造を行う前に解析、回避するための理想的なアプローチは、電流ベースであり、ナノメータ効果が持つ過渡的かつ相互依存性があるという性質を考慮したものである必要があります。
ソリューション
Nascentric では、ナノメータ効果に対処する電流ベースの独自技術を開発し、この技術および他の独自の検証および解析技術で構成される、価値ある特許ポートフォリオを所有しています。Nascentric は、電圧ではなく完全に電流に基づいた SPICE を開発した最初かつ唯一の企業です。この技術は処理パフォーマンス、精度、およびキャパシティの面で、従来の SPICE をはるかに上回り、特に集積回路の微細化とリーク電流の増大に対応するものです。
Nascentric は、最先端の半導体企業におけるデザインの解析と最適化のための設計自動化ツールを開発、販売しています。Nascentric の製品は遅延、消費電力、シグナル インテグリティ、エレクトロマイグレーション、および電源変動等のナノメータ効果を考慮しながら、パフォーマンスの正確な予測を行います。Nascentric の提供する高度なシミュレーションおよび解析の技術を利用することで、より大規模で複雑な回路を従来と比較して劇的に高速に解析し、機能検証を行うことで設計の繰り返し削減、品質の向上、シリコンの歩留まり向上を実現することが可能になります。
バックグラウンド
Nascentric の取締役会は、半導体および EDA（Electronics Design Automation）の業界を幅広くカバーしています。技術顧問は、業界最先端の専門家と研究者で構成されています。Nascentric は Carnegie Mellon、Purdue University、University of Texas at Austin、Texas A&M、University of Toronto、および Mississippi State University を含む、広範囲にわたる大学向けプログラムも構築しています。また、Nascentric は、TSMC、Charter、および UMC を含む世界中の最先端ファウンドリをサポートしています。
Nascentric Inc. は 2003 年の 10 月に設立された未公開企業です。本社はテキサス州オースティンにあり、EDA 業界での豊富な経験を持つチームならびに著名な BOD により経営されており、優秀な技術顧問を擁しています。Nascentric の主な投資主には Austin Ventures、Needham Partners、Silverton Partners が含まれます。
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